雷竞技raybetAPP电子元件性能下降如何才能保护您的模拟前端呢？

2023-11-05 19:42:53

　　雷竞技raybetAPP雷竞技raybetAPP通过相应路径试图进入电路，导致系统承受过大压力。有一点需要注意，这是一个随功率和时间变化的函数。

　　如果将复杂电路看作一个简单的消耗功率的元件，例如，将它视为一个电阻。在额定功率为1 W的1 Ω电阻上施加1.1 V电压，计算功耗的公式如下：

　　计算得出，消耗的功率为1.21 W。虽然电阻的额定功率为1 W，但是可能存在一些余量，所以暂时不用担心这一点。但并不能够始终如此。

　　将电压增加到2 V，会出现什么情况？如果功耗达到之前示例的4倍，那么电阻可能会像一个空间加热器在很有限的时间内提高环境温度，但是请记住这个公式：

　　如果将电压增加到10 V，但仅持续10毫秒呢？有趣的地方就在这里：如果不了解部件，以及设计处理部件的目的，您就无法真正了解会对该部件产生什么影响。现在，来看看整个元件系统。

　　一般而言，任何包含电子元件的部分都容易受到EOS影响。特别薄弱的部分是那些与外界的接口，因为它们很可能是最先接触到静电放电(ESD)、雷击等的部分。我们感兴趣的部件包括示波器模拟前端，以及最新的高性能物联网混合器的充电端口等。

　　虽然我们想要保护系统免受电气过载，但是这个术语太宽泛了，对于决定如何保护系统没有任何帮助。为此，IEC（以及许多其他组织）做了大量工作来弄清楚在现实生活中可能会遇到的EOS类型。接着将重点探讨IEC规范，因为它们涵盖广泛的市场应用，而与该规范相关的混乱状况也说明需要本文来厘清。表1显示了三个规范，它们定义了系统可能遇到的EOS状况类型。在本文中只对ESD做深入探讨，同时也会让大家熟悉电快速瞬变(EFT)和浪涌。

　　芯片中的保护主要用于应对制造过程中的ESD，而不是在系统通电状态下的ESD。这一差异非常重要，因为在放大器连接电源和没连接电源时，其在遭受静电时的反应截然不同。例如，内部保护二极管可消除在无电源供电时对部件的静电放电冲击。但是，当有电源供电时，对部件的静电放电冲击可能会使内部结构传导的电流超过其设计承受水平，这可能导致该部件损毁，具体由部件和电源电压决定。

　　希望您能够意识到，这个挑战涉及很多因素，一个简单的解决方案是无法应用于所有情况的。下方是一个涉及因素列表，列出了决定部件能否承受EOS事件的因素。这些因素分为两组：无法控制的因素和可以控制的因素。

　　考虑器件的工艺技术：有些工艺技术比其他技术更容易发生闩锁。例如，CMOS工艺容易发生闩锁，但在许多现代工艺中，可以通过精心设计和沟槽隔离来减轻这种危害。

　　考虑器件的内部结构：集成电路的设计方法很多，所以对一种电路有效的保护方案对另一种可能无效。例如，许多器件都有时序电路，检测到波形足够快时，就会启动保护结构。这可能意味着，如果您在静电放电的位置增加更多电容，那么能够承受静电放电冲击的器件可能无法承受这种电容冲击。这种结果出乎意料，但认识到以下这一点非常重要：常见的电路保护方法，即RC滤波器，可能会让情况更糟。

　　PCB布局：部件离冲击的位置越近，其电能波形就越高。这是因为，当冲击波形沿某条路径传播时，从传播路径辐射出去的电磁波会有能量损耗、这是由于路径电阻产生的热量以及与周边导体耦合的寄生电容和电感所导致。

　　现在有过压保护(OVP)和过限额(OTT)特性。可以利用这些特性来保护电路不受高压瞬变影响吗？

　　OVP和OTT特性让部件的输入在承受超过电源电压的电压时，本身不会受到损坏。依靠这些特性来保护电路不受高压瞬变影响，就像是依靠雨靴来应对高压冲水机一样。雨靴只对水深不超过其高度的浅水沆有效，就像OVP和OTT只适用于比其额定值低的电压。OVP和OTT的额定电压比给定的供电轨电压高几十伏。它无法抵抗8000V的高压。

　　通过结合器件知识、经验和测试，大致可以知道，系统中应该采用哪些部件最有利。为了保证器件可控，各家制造商提供了五花八门的保护组件，本文只讨论两种经证实能够有效保护模拟前端的电路保护方案。以下方案假设采用一个缓冲配置的运算放大器。这被认为是最严格的保护测试，因为同相输入会承受所有冲击，除此以外，电能无处可去（安装保护电路之前）。

　　在本例中，C1的位置在R1之前，因为它构建了一个电容分压器，其中150 pF 电容（如图5所示）将ESD波形放电到系统中，这样在放大器经受波形之前，能量已经先分流。

　　注意：虽然这种前端保护方法并没有得到电容制造商的认可，但在针对放大器的数百次测试中证明是有效的。ESD测试曲线（如下所述）仅在有限范围的电容产品上进行过测试，因此，如果使用不同的电容产品，需要先表征其应对冲击的特性，例如通过测量经受ESD冲击之前和之后的电容和等效串联电阻的 方法，这一点非常重要。该电容器件应保持容值稳定，并且在被冲击后，始终在直流下保持开路状态。

　　D1反向工作电压应尽可能高，同时仍需通过必要的测试。如果过低，在正常的系统电压电平下可能出现漏电流。如果过高，则可能无法在系统损坏之前做出反应。

　　在模拟电子领域，大家都知道TVS二极管容易发生泄漏，因此不能用于精密模拟前端。但有时情况不是这样，许多数据手册中的泄漏电流

　　如果您选择了合适的TVS，泄漏电流值可能低到让您惊讶。图7所示为测量12个相同产品型号的TVS二极管时获得的泄漏数据。

　　图7. 36 V双向TVS二极管Bournes T36SC的泄漏值，在TIA中采用ADA4530评估板，带屏蔽，在25°C时采用10 G电阻。

　　在测量的12个TVS二极管中，在直流偏置电压为5 V时，最严重的泄漏量为7 pA。这比最坏情况下的数据表的值要好千百万倍。当然，不同批次的TVS二极管在泄漏方面存在差异，但这至少可以说明预期的泄漏幅度。如果系统经受的温度不会超过85°C，TVS二极管可能是个不错的选择。只要记住，如果您选择的产品不是本文所述的测试产品，请表征其泄漏特性。对一个部件或制造商而言正确的结论，对其他部件或制造商可能并不正确。

　　采用IEC ESD标准对一系列运算放大器进行了测试。表2显示不同保护方案分别适合保护的组件。虽然ESD标准规定在±8 kV要保证经受三次冲击，但所有这些方案都通过了在±9 kV时经受100次冲击的测试，以确保提供足够的保护余量。

　　EC标准要求，通过将两个470 kΩ电阻与30 pF电容并联，使ESD源的接地端与放大器的接地端连接在一起。本测试的设置则更为严格，它将ESD源的接地端与放大器的接地端直接相连。这些结果也在IEC接地耦合方案中得到了验证，这可以进一步增强产品的可信赖度。请记住，由于放大器的内部结构存在很大不同，对本列表中的器件适用的数据可能适用，也可能不适用于其他器件。如果使用其他器件或其他保护元件，建议对其进行全面测试。

　　TVS二极管性能良好，可以经受无数次冲击。这对于EFT和浪涌保护非常不错，但是，如果您只需要ESD保护，不妨看看ESD压敏电阻，在达到某个电压值之前，它们都用作高压电阻，达到该电压值之后，它们转变为低压电阻，可以分流掉压敏电阻中的电能。

　　可采用与TVS二极管相同的配置。它们的泄漏更少，成本不到TVS二极管的一半。请注意，其设计并不要求经受数百次冲击，且其电阻会随着每次冲击下降。ESD压敏电阻也在上述产品上进行了测试，当串联电阻值约为TVS二极管所需值的两倍时，该压敏电阻的性能最佳。

　　这些产品只在ESD标准下进行过测试。EFT的独特之处在于，虽然电压不高（4 kV及以下），其冲击却是爆发式（5 kHz或以上），上升时间较慢(5 ns)。浪涌每次冲击的能量大约是EFT的1000倍，但速度只有波形的1/1000。如果还需要涵盖这些标准，请确保在这些保护元件的数据手册上表明，它们可以应对这个问题。

　　虽然看起来事后在电路中添加RC滤波器或TVS二极管并不难，但请注意，本文中提到的所有其他因素会影响系统性能和保护级别。这包括布局、前端使用的器件，以及需要满足的IEC标准。如果您从开始就谨记这一点，就可以避免在系统设计的最后阶段可能出现需要重新设计的紧急状况。

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